IPP086N10N3
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPP086N10N3 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
IPP086N10N3G(086N10N) INFINEON
IPP085N06L G INFINEON
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
IPP086N10N3 G INFINEON
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
INFINEON TO-220
IPP085N06LG INFINEO
N-CHANNEL POWER MOSFET
INFINEON TO220
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
VBSEMI TO-220AB
IPP08CN10L INF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
INFINEO TO-220
2024/05/16
2024/01/20
2024/08/25
2024/05/17
IPP086N10N3Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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